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本发明提供了利用溶液法制造碳化硅单晶的方法，包括将用于生长碳化硅的晶种基体与包括至少一种添加金属的Si-C合金溶液接触，并在生长碳化硅的晶种上生长碳化硅单晶，所述方法包括，随着反应的进行，当Si与添加金属的摩尔比低于最初设定的值时，将硅原料...
该专利属于SK新技术株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过SK新技术株式会社授权不得商用。

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