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碳包覆Ⅴ-Ⅵ族化合物半导体纳米片及其制备方法，涉及拓扑绝缘体和热电材料及其制备方法。本发明是要解决现有Ⅴ-Ⅵ族化合物拓扑绝缘体的制备方法复杂，无法制备块体材料，表面不稳定，表面不对称性，表面粗糙度高，以及作为热电材料电导率和Seebeck系...
该专利属于东北农业大学所有，仅供学习研究参考，未经过东北农业大学授权不得商用。

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