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一种硅通孔检测结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的离子掺杂区，所述离子掺杂区包括第一区域和位于所述第一区域的两端且与第一区域电连接的第二区域，位于所述半导体衬底内的待检测硅通孔，所述待检测硅通孔横贯所述离子掺杂区的第一区域，且所述...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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