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本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其制作方法，该晶体管包括：形成在半导体衬底上的鳍；第一栅极、第二栅极，第一栅极、第二栅极分别位于鳍的两侧，鳍的位于第一栅极、第二栅极之间的部分作为鳍式场效应晶体管的沟道，鳍的沟道以外的部分作为鳍式场效应晶体管...
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