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本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层，所述介电层中形成有金属填充插塞；b)在所述介电层上形成具有开口的光刻胶层，所述开口对应所述介电层中未形成有所述金属填充插塞的部分；c)执行光刻胶回...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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