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本发明公开了一种提高AlGaN材料的MOCVD生长方法。该方法采用H2腐蚀AlGaN材料的方法，获得图形化的位错坑，再在此基础上沉积SiNx作为位错掩埋层，从而提高对位错弯曲和阻挡的能力，改善AlGaN材料的晶体质量。同普通的AlGaN材料...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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