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一种SRAM器件单粒子闭锁效应测试系统及方法技术方案
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文档序号:8835047
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本发明涉及一种SRAM器件单粒子闭锁效应测试系统及方法,包括上位计算机、下位控制器、SEU测试电路、电流测试电路、闭锁保护电路及电源模块。本发明提供了一种可以单粒子翻转截面及闭锁截面同时获取,减少了实验周期,节约实验成本、测量更为准确、高效...
该专利属于西北核技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过西北核技术研究所授权不得商用。
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