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本实用新型涉及一种肖特基二极管。该肖特基二极管，包括阴极金属层，阴极金属层上的N型硅芯片，该N型硅芯片上具有开口的绝缘层，位于所述开口中及所述绝缘层上的阳极金属层。该肖特基二极管进一步包括该N型硅芯片中位于所述阳极金属层下方的金属硅化物层，...
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