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本实用新型公开了一种芯片电磁屏蔽结构，包括硅衬底、深阱和设于深阱上方的芯片，一设于芯片表面的金属屏蔽罩，所述的金属屏蔽罩由顶层密闭的矩形波屏蔽层和侧面凹凸状屏蔽层构成。本实用新型采用创新的布局布线方式，利用现有的工艺技术，结合深阱工艺，为芯...
该专利属于深圳国微技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳国微技术有限公司授权不得商用。

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