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一种制造可转印半导体器件的方法包括在衬底上提供包括磷化铟铝的释放层，并且在所述释放层上提供支撑层。所述支撑层和所述衬底包括各自的材料，如基于砷化物的材料，以使得所述释放层相对于所述支撑层和所述衬底具有蚀刻敏感性。在所述支撑层上提供至少一个器...
该专利属于森普留斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过森普留斯公司授权不得商用。

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