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本发明提供一种薄膜太阳能电池及其制造方法。薄膜太阳能电池包含基板以及半导体层。半导体层包含P型晶硅层、第一I型晶硅层、第一N型晶硅层、第二I型晶硅层以及第二N型晶硅层。P型晶硅层是位于基板上；第一I型晶硅层是位于P型晶硅层上；第一N型晶硅层...
该专利属于联相光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联相光电股份有限公司授权不得商用。

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