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一种在r面蓝宝石衬底上制备非极性GaN薄膜方法属于LED器件领域。采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备在r面蓝宝石衬底上制备非极性（11-20）面GaN薄膜。在高温生长非极性GaN薄膜V/III比采用三步生长式技术，即V/III比变...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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