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一种用于太阳电池窗口层的氮化镓薄膜，其化学分子式为GaN，该氮铟镓薄膜沉积在衬底上，薄膜厚度为0.6-1?m；其制备方法是：在MOCVD沉积系统的进样室中，对衬底表面进行表面等离子体清洗，然后在MOCVD沉积系统的沉积室中，采用MOCVD工...
该专利属于天津理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津理工大学授权不得商用。

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