温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种电子型氮化镓n-GaN薄膜，其化学分子式为GaN，导电类型为n型，即Si掺杂电子型，厚度为0.6-1?m；其制备方法是：在MOCVD沉积系统的进样室中，对衬底表面进行表面等离子体清洗，然后在沉积室中采用MOCVD工艺在衬底表面沉积Si掺...
该专利属于天津理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津理工大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。