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形成MEMS热电堆探测器空腔结构的体硅微加工方法技术
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下载形成MEMS热电堆探测器空腔结构的体硅微加工方法的技术资料
文档序号:8795891
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本发明提供一种形成MEMS热电堆探测器空腔结构的体硅微加工方法,包括:提供硅基底,在硅基底上热氧化生长二氧化硅膜,在二氧化硅膜上形成热电堆区域和红外吸收区。热电堆区域上靠近红外吸收区的一端为热结区,远离红外吸收区的另一端为冷结区。在热电堆结...
该专利属于江苏物联网研究发展中心所有,仅供学习研究参考,未经过江苏物联网研究发展中心授权不得商用。
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