温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明是有关于一种大面积薄型单晶硅的制作技术，特别是有关一种利用金属辅助蚀刻技术在硅基板或硅晶圆上制作微米结构或纳米结构并脱离硅基板或晶圆的方法。此方法借由金属催化剂沉积、纵向蚀刻、侧向蚀刻、而使微米结构或纳米结构剥离或转移等简单的工艺，形...
该专利属于林清富所有，仅供学习研究参考，未经过林清富授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。