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本发明涉及存储元件和存储装置，其中，该存储元件具有分层构造，包括：存储层，其中磁化方向对应于信息而改变，通过在分层构造的层叠方向上施加电流来改变磁化方向，从而将信息记录在存储层中；磁化固定层，其中磁化方向固定；中间层，由非磁性材料形成并且设...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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