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本发明涉及太阳能电池及其制造方法。根据本发明一种实施方式的制造太阳能电池的方法包括：制备具有第一导电类型杂质的半导体基板；将预非晶化元素离子注入到半导体基板的正面以形成非晶层；以及通过将第二导电类型杂质离子注入到半导体基板的正面形成发射层。...
该专利属于LG电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过LG电子株式会社授权不得商用。

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