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基于快闪存储器结构NMOSFET光敏可控器件，包括p型半导体衬底，衬底上设有n型重掺杂的源区和漏区，衬底上依次为隧穿氧化层、电荷存储层、阻挡氧化层和控制栅极，组成快闪存储器结构的NMOSFET光敏可控器件，阻挡氧化层和控制栅极为透明电极。隧...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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