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本发明公开了一种以黑硅为光敏层的Si-APD光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述光电探测器包括硅本征衬底1、位于硅本征衬底1上表面中央的N+区2、位于N+区下方的P型区3、位于硅本征衬底上表面四周的环形N型区4、位于N+区上表...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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