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本发明公开了一种石墨烯/Sip-n结双结太阳能电池及其制备方法。n型硅片(111)的Si表面经B掺杂，得到p型导电层；p型导电层与衬底n型导电层之间形成Sip-n结；以CH4为反应气体、Ar稀释气体在900～1000℃的条件下，采用化学气相...
该专利属于苏州科技学院所有，仅供学习研究参考，未经过苏州科技学院授权不得商用。

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