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本发明提出了一种双吸收层PIN结构光伏器件及制备方法。它是在异质结中加入两种具有不同的带隙宽度材料V-Ga:TiO2（1.6eV）和Cu2O（2.0eV）作为光双吸收层，扩展了产生光生载流子的吸收波段，打破了单级电池的理论极限。其结构为：以...
该专利属于湖北大学所有，仅供学习研究参考，未经过湖北大学授权不得商用。

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