温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型公开了一种非晶硅电池使用的p型半导体，其由p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜构成，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，p+层半导体薄膜的暗电导为1×10-5～5×10-5S/cm，能带隙为1.8～1...
该专利属于保定风帆光伏能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过保定风帆光伏能源有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。