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本实用新型涉及一种半导体电容及具有该半导体电容的半导体装置。该半导体电容包括：下电极板，该下电极板包括电容井区及设置于该电容井区上的扩散区，该电容井区与该扩散区均具有第一导电型，且该扩散区的掺杂浓度高于该电容井区的掺杂浓度；绝缘层，该绝缘层...
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