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本实用新型提供一种区熔法生长气相掺杂硅单晶用反射器，包括反射器主体，以及反射器主体上连接的气体发射器，该气体发射器包括铜质镀银的环形管，环形管上开有数个气孔，该环形管的两端分别设有进气阀和泄压阀。本实用新型对气相掺杂源的结构进行了改进，气体...该专利属于有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司授权不得商用。