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本发明涉及包括具有漂移区和漂控区的半导体器件的半导体器件布置。半导体器件包括源区、漏区、体区以及漂移区。在半导体本体中，漂移区被布置在本体与漏极之间且本体被布置在源极与漂移区之间。栅电极邻近于本体且被栅极电介质与本体介电绝缘。漂移控制区邻近...
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