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本发明涉及晶体管及半导体装置。本发明的一个方式的目的是改善在氧化物半导体层中形成沟道的晶体管的开关特性。在氧化物半导体层的端部产生寄生沟道是因为晶体管的源极及漏极与该端部电连接。换言之，如果该端部不与晶体管的源极和漏极中的至少一方电连接，就...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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