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本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，在外基区中包括有以发射区的外侧边缘为自对准边界的自对准注入的锗或碳杂质以及P型杂质。本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。本发明通过在外基区中注入锗或碳杂质，能减少外基区的P型杂质的横向扩散...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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