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本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，包括：P型衬底中形成有匹配层，膺埋层和集电区形成于匹配层上方，场氧区形成于膺埋层和部分集电区的上方，膺埋层和场氧区位于集电区两侧；氧化硅层形成于场氧区上方，多晶硅层形成于氧化硅层上方，基区形成于集电区和...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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