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本发明公开了一种平面型超级结制备方法，包括以下步骤：步骤一、准备一片带有足够厚度的N型外延硅片做衬底；步骤二、利用高温退火工艺将P阱注入进行推进；步骤三、通过一层光罩定义出深沟槽的图案；步骤四、采用选择性外延填充方式形成P柱；步骤五、随后用...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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