温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种深沟槽刻蚀工艺针刺状缺陷的解决方法,该方法在现有的深沟槽硬掩膜干法刻蚀工艺的光刻胶灰化步骤以后,湿法去除晶圆上的残留聚合物步骤前,增加了干法圆滑刻蚀和湿法修复两个工艺步骤。本发明通过在硬掩膜刻蚀之后的清洗步骤中增加干法圆滑刻...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种深沟槽刻蚀工艺针刺状缺陷的解决方法,该方法在现有的深沟槽硬掩膜干法刻蚀工艺的光刻胶灰化步骤以后,湿法去除晶圆上的残留聚合物步骤前,增加了干法圆滑刻蚀和湿法修复两个工艺步骤。本发明通过在硬掩膜刻蚀之后的清洗步骤中增加干法圆滑刻...