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本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法，其特征在于，使用四元铜铟镓硒单靶射频磁控溅射制备铜铟镓硒薄膜，不涉及传统的后续硒化退火工艺。首先使用直流磁控溅射在钠钙玻璃衬底上制备双层钼薄膜作为金属背电极，然后在钼背电极上使用射...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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