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本发明涉及一种发光二极管的外延结构及制造其增透层的方法，其在LED外延结构的基础上，在多量子阱层和p型半导体层之间设置了一层具有逐渐变小的折射率的增透层，且所述增透层的总厚度为入射光通过该增透层的等效波长的四分之一。所述增透层可以包括依次沉...
该专利属于武汉迪源光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉迪源光电科技有限公司授权不得商用。

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