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本发明涉及一种有序硅纳米线的制备方法，结合多孔氧化铝模板和金属辅助化学腐蚀获得有序的硅纳米线阵列。所述方法在清洁的硅片表面依次沉积SiO2和Al膜；然后对铝膜进行阳极化，形成多孔氧化铝AAO；以AAO作为掩模，利用等离子体刻蚀在硅表面复制A...
该专利属于安徽师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽师范大学授权不得商用。

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