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本实用新型公开了一种CMOS电路结构、OLED及显示装置,在CMOS电路结构中PMOS区域为LTPS TFT结构,即使用P型掺杂多晶硅材料制备PMOS半导体层,NMOS区域为Oxide TFT结构,即使用氧化物材料制备NMOS半导体层,在N...该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了一种CMOS电路结构、OLED及显示装置,在CMOS电路结构中PMOS区域为LTPS TFT结构,即使用P型掺杂多晶硅材料制备PMOS半导体层,NMOS区域为Oxide TFT结构,即使用氧化物材料制备NMOS半导体层,在N...