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一种改善扩散区域形貌的功率器件制造技术
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文档序号:8730159
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本实用新型提出了一种改善扩散区域形貌的功率器件,该功率器件包括衬底、外延层、埋层、源区,源区与外延层之间的埋层为导电沟道区,在靠近导电沟道区的外延层内形成有预扩散区,该功率器件还包括栅介质层、栅极、介质层、正面金属层、背面扩散区和背面金属层...
该专利属于宁波比亚迪半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过宁波比亚迪半导体有限公司授权不得商用。
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