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本发明提供了用于去除掩蔽材料例如光致抗蚀剂的方法和通过去除掩蔽材料形成的电子器件。例如，用于去除掩蔽材料的方法包括将掩蔽材料与包含铈和至少一种其它氧化剂的溶液接触。铈可以包含在盐中。盐可以是硝酸铈铵。所述至少一种其它氧化剂可以是含有锰、钌、...
该专利属于高级技术材料公司; 国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过高级技术材料公司; 国际商业机器公司授权不得商用。

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