温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种刻蚀控制方法，设置了套刻精度和高级工艺流程控制的相关参数之间的对应关系后，该方法首先测量光刻后晶片的当前层上光刻图案的套刻精度，将所得的套刻精度发送到刻蚀机台，由刻蚀机台根据套刻精度得到刻蚀步骤中高级工艺流程控制的相关参数，...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。