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本发明提供了一种氧化镉（CdO）基透光波段可调的导电薄膜制备方法。该方法的核心技术是导电薄膜的透光波段与导电薄膜中铟（In）组分的含量相关，In组分含量的变化与磁控溅射靶材、溅射功率，与靶材和基片之间的距离相关，导电薄膜厚度与薄膜沉积时间长...
该专利属于淮阴师范学院所有，仅供学习研究参考，未经过淮阴师范学院授权不得商用。

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