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本发明公开了一种可编程的多晶硅熔丝器件结构以及其工艺实现方法，该结构包括：N、P型的高阻值的多晶硅电阻，NP二极管，阴、阳极接触端；其方法包括：1)在P型衬底上生成氧化层场区；2)在氧化层场区上，生成多晶硅区域；3)多晶硅区域的一侧形成P型...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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