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本发明涉及一种Pb掺杂In4Se3基热电材料In4-xPbxSe3(x=0.01,0.02,0.04-0.06)的制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb掺杂In4Se3的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb掺...
该专利属于中国科学院福建物质结构研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院福建物质结构研究所授权不得商用。

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