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本发明涉及一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法，包括以下步骤，器件晶圆与逻辑晶圆键合后，对晶圆表面氧化物进行刻蚀,至露出四乙氧基硅层;在刻蚀后的晶圆表面上淀积一层隔离氧化物层;在隔离氧化物层上涂覆一层负性光刻胶，通过光刻在负性光...
该专利属于陆伟所有，仅供学习研究参考，未经过陆伟授权不得商用。

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