温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种包括三个半导体层的半导体器件。所述半导体层布置为形成由极化层隔开的2DHG和2DEG。所述器件包括多个电极：第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极电连接到所述2DHG，以使电流能够通过所述2DHG在所述第一电极和所述第二电极之间...
该专利属于谢菲尔德大学所有，仅供学习研究参考，未经过谢菲尔德大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。