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一种择优取向的AlN压电薄膜，由CVD金刚石衬底和a轴择优取向AlN薄膜叠加组成，CVD金刚石衬底厚度为20-25um、表面粗糙度低于5nm，a轴择优取向AlN薄膜厚度为60-80nm；其制备方法是：将清洗后的CVD金刚石衬底送入射频磁控溅...
该专利属于天津理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津理工大学授权不得商用。

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