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本发明是有关于一种具有氮化铝层的发光二极管、封装结构及其制备方法。本发明的具有氮化铝层的垂直式发光二极管是包括：一基板；一第一电极，是设于该基板的表面；一半导体外延层，是与该第一电极电性连接；一第二电极，是与该半导体外延层电性连接，且该第一...
该专利属于铼钻科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铼钻科技股份有限公司授权不得商用。

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