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本发明涉及光电器件领域，特别是一种GaN基LED结构，从上至下依次包括p电极、透明电极、p型GaN层、多量子阱有源区、n型GaN层、在n型GaN层上刻蚀的n电极、第一u型GaN层和衬底，并且在所述多量子阱有源区和所述n型GaN层之间插入第二...
该专利属于武汉迪源光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉迪源光电科技有限公司授权不得商用。

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