温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

根据本发明的半导体器件包括：用作n-漂移层1的半导体基板；在半导体器件的正面形成的沟槽IGBT的表面器件结构；半导体基板的正面侧的表面部分中的层间绝缘膜7，该层间绝缘膜7包括在其中形成的接触孔11；层间绝缘膜7上的金属电极层8；包括在金属电...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。