温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）及其制备方法，属于IGBT技术领域。该沟槽型IGBT包括集电极层、漂移层、发射极层、沟槽、以及形成于沟槽的栅介质层和栅电极，该沟...
该专利属于无锡华润上华半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。