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本发明提供一种修调电阻，包括半导体衬底；介质层，形成于半导体衬底上；熔丝修调形状，由熔丝淀积形成于介质层上，熔丝修调形状有熔断区域和两端，熔断区域中有改变电流密度大小的修调结构和在熔丝修调形状的两端分别有连接垫；钝化层，形成在熔丝修调形状和...
该专利属于杭州士兰集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰集成电路有限公司授权不得商用。

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