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本发明提供了一种金属互连结构的制造方法，通过在半导体衬底上形成多孔的低K介质层；在所述多孔的低K介质层上形成有机聚合物层；加热所述有机聚合物层，使得有机聚合物渗透至所述多孔的低K介质层，填充其中的多孔，使得所述多孔的低K介质层结构坚固，从而...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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